在半導體制程工藝中，外延是一種單晶生長技術的CVD。其原理是利用特氣系統中特氣管道和電子特氣柜等特氣設備，將含硅的特種氣體（SiH4 或SiCI4或SiH2CI2等）安全穩定的輸送到高溫(> 1100℃)的襯底上利用氫（H2）在襯底上通過還原反應析出單晶硅的方法。

外延工藝的優點：

①　減少串聯電阻；

②　可以控制外延層中的雜質分布；

③　可以用任意濃度和導電類型的硅襯底上人為的故意地進行摻雜，以滿足器件花樣眾多的要求。

外延設備及所用的氣體:

化學氣相外延生長使用的設備裝置通常稱為外延生長反應爐。一般主要由氣相控制系統、電子控制系統、反應爐主體、排氣系統四部分組成。

在半導體外延工藝中，氣體控制系統指的就是超高純電子特氣系統，以下簡稱特氣系統。特氣系統以耐腐蝕的EP管、氣體泄漏監測報警系統、高精度的質量流量計以及特氣設備如擁有SEMI S2認證和自動吹掃、自動切換以及緊急情況下的自動安全切斷等功能的電子特氣柜，來保證外延生長工藝中特種氣體的安全穩定輸送。

綜上所述，特氣系統中電子特氣柜為半導體外延生長工藝提供安全穩定的氣體原材料（如硅烷和二氯二氫硅等），保證生產的安全以及生產率和良品率。最后，感謝您的閱讀！