半導體制造業是人類科技文明的集大成者。發展銻化物半導體已成為我國第四代半導體核心技術發展的戰略性方向之一，超高純電子特氣系統能為半導體銻化物生產研發提供安全、連續和穩定壓力的超高純氣體，保證實驗的穩定進行。

迄今為止，得到公認的前三代經典半導體技術所對應的材料體系分別是：基于Ⅳ族硅Si、鍺Ge元素的第一代半導體；基于Ⅲ-Ⅴ族砷化鎵、磷化銦的第二代半導體；基于Ⅲ-Ⅴ族氮化鎵、Ⅳ族碳化硅的第三代半導體等。

但伴隨著量子信息、可再生能源、人工智能等高新技術飛速發展，半導體多功能器件技術需求不斷變高。雖然前三代經典半導體技術持續發展，但已經呈現出難以滿足新需求的嚴重問題，特別是難以同時滿足高性能、低成本的苛刻要求。

“銻化物半導體為突破傳統體系的技術封鎖，提供了自主掌握命門技術的鑰匙。”中國科學院半導體研究所半導體超晶格國家重點實驗室研究員、國家重點研發計劃量子調控與量子信息項目負責人牛智川說。

銻化物半導體光電器件具有優良的性能和低廉的價格，在開發下一代的小體積、輕重量、低功耗、低成本器件，及其要求極為苛刻的應用方面具有不可替代的獨特優勢。

“77年前，著名物理學家、中國固體和半導體物理學奠基人之一的黃昆先生就提出半導體超晶格理論思想，在黃昆理論的指導下，我國與國際同步研發出銻化物超晶格等低維材料體系，成為繼第三代半導體后最具發展潛力的新一代半導體可塑體系。”牛智川說。

高純電子氣體是半導體產業發展不可或缺的重要基礎原料，電子氣體的純度直接影響半導體產品的性能、質量與良品率。超高純電子特氣系統是專為保證高純電子氣體的安全穩定使用而設計的供氣系統。

如今，國內的銻化物超晶格探測器、量子阱激光器技術等正在步入產業化應用發展階段。比如，中科院半導體所研制的銻化鎵襯底實現了2—3英寸直徑襯底的量產，最大尺寸達到4英寸；同時，實現了2—3英寸直徑、500—1000片/年的銻化物多功能低維材料外延晶圓的開發，研發了4英寸分子束外延技術，突破了國外封鎖，保障了我國獨立研發銻化物半導體技術的可持續性。

以上，便是關于銻化物半導體及超高純電子特氣的簡單介紹，中國加油！科學家加油！感謝您們的閱讀！